繞過卡脖子的EUV光刻中國廠商開發晶片有新技術了

EUV光刻機是研製先進晶片的一條路徑，但並非唯一解。

對於中國廠商來說，當前在3D NAND快閃記憶體的發展上，就因為不需要EUV機器，從而找到了技術追趕的機會。

而在DRAM記憶體晶片領域，儘管三星、美光、SK海力士找到的答案都是EUV，可來自浙江海寧的芯盟則開闢出繞過EUV光刻的新方案。

據問芯報道，在中國國際半導體技術大會CSTIC 2022中，芯盟科技CEO洪沨宣布基於HITOC技術的3D 4F² DRAM架構問世。

他指出，基於HITOC技術所開發的全新架構3D 4F² DRAM晶片，最大特點是不需要用到EUV光刻機，也不需要多重圖形曝光SAQP（Self-Aligned Quadruple Patterning）步驟，這可以大幅減少成本，更重要的是，避免了設備被國外製造商卡脖子。

所謂HITOC，即Heterogeneous Integration Technology on Chip的縮寫，就是運用先進的晶圓對晶圓和晶粒對晶圓混合鍵合製造製程，將不同類型的晶圓或晶粒上下對準貼合，以實現真正的三維異構單晶片集成。

至於此次的3D 4F² DRAM晶片，具有更低的位線電容、更低的字線延遲、CMOS獨立在一片晶圓上設計不受Array製程限制以及更低的成本等優勢，只是還不清楚最終的晶片成品可以對標大廠的幾納米。

事實上，HITOC技術兩年前就被芯盟用在了存算一體AI晶片SUNRISE上，該晶片已經應用在晶圓廠生產線智慧缺陷分類系統領域。去年，HPC公司豪微科技最新流片成功的布谷鳥2晶片上，也藉助芯盟的HITOC技術，實現了大容量存算一體3D架構。

資料顯示，芯盟(ICLeague)是一家成立於2018年的年輕公司，總裁、CEO洪沨畢業於美國北卡羅萊納州立大學材料科學與工程專業，曾在Intel、NXP、中芯國際、武漢新芯、積塔等工作，高層中其它核心乘員也都有著過硬的學歷和半導體從業背景。