Intel 144層QLC快閃記憶體被曝完成開發 PLC快閃記憶體規劃中

• 2020 年 7 月 10 日
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• PLC快閃記憶體, QLC快閃記憶體, 英特爾, 快閃記憶體

最近幾個月NAND快閃記憶體的價格又開始轉跌了，廠商目前的主力是96層3D快閃記憶體，很快就要轉向新一代100+層堆棧了。在96層之後，Intel的144層QLC快閃記憶體現在已經完成開發，預計下半年量產，同時還在規劃新的PLC快閃記憶體。

144快閃記憶體是Intel第四代3D快閃記憶體，此前三代分別是32層、64層、96層，這也是Intel與美光分手之後獨立開發的新一代快閃記憶體，去年就已經曝光，將繼續使用傳統的FG浮柵極技術，該技術製造難度略高，但Intel簡稱其可靠性更好，比其他廠商的使用的CTP電荷肼技術更好一些。

根據最新消息，Intel的144層QLC快閃記憶體已經完成開發，預計今年下半年正式量產，核心容量依然是1024Gbit，從這一點上看跟96層QLC快閃記憶體的1024Gbit核心容量相比沒變化，不確定內部改進如何。

144層QLC快閃記憶體預計很快就會用於消費級及企業級SSD硬碟中，2018年也是Intel/美光率先量產了第一代QLC快閃記憶體，用於660P、P1等SSD硬碟中。

按照之前的規劃，今年底開始量產144層QLC快閃記憶體，預計2021年的SSD產品線就會全面轉向144層QLC快閃記憶體了，這將會進一步降低快閃記憶體的成本，提高容量。

除了QLC快閃記憶體之外，Intel還在開發PLC快閃記憶體，也就是5bit/cell，它理論上的容量比QLC快閃記憶體提升25%，進一步提高容量並降低存儲成本，但是PLC快閃記憶體更複雜，可靠性及性能都會下降，一直爭議不斷，目前還沒有一家NAND廠商宣布量產PLC的。