Intel 144層QLC閃存被曝完成開發 PLC閃存規劃中

• 2020 年 7 月 10 日
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• PLC閃存, QLC閃存, 英特爾, 閃存

最近幾個月NAND閃存的價格又開始轉跌了，廠商目前的主力是96層3D閃存，很快就要轉向新一代100+層堆棧了。在96層之後，Intel的144層QLC閃存現在已經完成開發，預計下半年量產，同時還在規劃新的PLC閃存。

144閃存是Intel第四代3D閃存，此前三代分別是32層、64層、96層，這也是Intel與美光分手之後獨立開發的新一代閃存，去年就已經曝光，將繼續使用傳統的FG浮柵極技術，該技術製造難度略高，但Intel簡稱其可靠性更好，比其他廠商的使用的CTP電荷肼技術更好一些。

根據最新消息，Intel的144層QLC閃存已經完成開發，預計今年下半年正式量產，核心容量依然是1024Gbit，從這一點上看跟96層QLC閃存的1024Gbit核心容量相比沒變化，不確定內部改進如何。

144層QLC閃存預計很快就會用於消費級及企業級SSD硬盤中，2018年也是Intel/美光率先量產了第一代QLC閃存，用於660P、P1等SSD硬盤中。

按照之前的規劃，今年底開始量產144層QLC閃存，預計2021年的SSD產品線就會全面轉向144層QLC閃存了，這將會進一步降低閃存的成本，提高容量。

除了QLC閃存之外，Intel還在開發PLC閃存，也就是5bit/cell，它理論上的容量比QLC閃存提升25%，進一步提高容量並降低存儲成本，但是PLC閃存更複雜，可靠性及性能都會下降，一直爭議不斷，目前還沒有一家NAND廠商宣布量產PLC的。