三星彎道超車 2年後趕上台積電：3nm獨一無二
在半導體晶圓代工上，台積電一家獨大，從10nm之後開始遙遙領先，然而三星的追趕一刻也沒放鬆，今年三星也量產了5nm EUV製程。三星計劃在2年內追上台積電，2022年將量產3nm製程。
從2019年開始，三星啟動了一個「半導體2030計劃」，希望在2030年之前投資133萬億韓元，約合1160億美元稱為全球最大的半導體公司，其中先進邏輯製程是重點之一，目標就是要追趕上台積電。
在最近的幾代製程上，三星的量產進度都落後於台積電，包括10nm、7nm及5nm，不過5nm算是縮短了差距，今年也量產了，此前也獲得了高通、NVIDIA、IBM等客戶的8nm、7nm訂單。
但三星追趕台積電的關鍵是在下一代的3nm上，因為這一代製程上三星押注了GAA環繞柵極電晶體，是全球第一家導入GAA製程以取代FinFET製程的，而台積電比較保守，3nm還是用FinFET，2nm上才會使用GAA製程。
最新消息稱，三星半導體業務部門的高層日前透露說，三星計劃在2022年量產3nm製程，而台積電的計劃是2022年下半年量產3nm製程，如此一來三星兩年後就要趕超台積電了。
值得一提的是，台積電也似乎感受到了三星的壓力，原本計劃2024年才推出2nm製程，現在研發順利，2023年下半年就準確試產了。
