176層快閃記憶體被美光截胡三星發狠：明年追上

在3D快閃記憶體技術上，作為全球快閃記憶體最大廠商的三星一直是領先的，堆棧層數也是最多的，不過美光日前率先推出了176層堆棧的 3D快閃記憶體，進度比三星要快。

根據美光的說法，176層快閃記憶體其實是基於兩個88層疊加而成，第一批為TLC顆粒，單個Die的容量為512Gb(64GB)，當然後期很可能會加入QLC。

更重要的是，美光不只是宣布了新技術，而且176層快閃記憶體已經量產並出貨了，已經用於一些Crucial英睿達品牌的消費級SSD，明年還會發布更多新產品。

在176層快閃記憶體技術上，美光這一波操作確實可以，後來者居上了，他們在全球快閃記憶體市場份額上是大幅落後於三星、東芝、西數的，尤其是三星一直是領頭羊。

對於這次沒能首發新一代快閃記憶體，韓國媒體爆料稱三星是遇到技術問題，原本他們計劃一次性堆棧到190層以上，現在也降低目標到176層。

此外，美光、SK海力士都準備用雙堆棧技術做176層快閃記憶體，三星原本希望用單堆棧技術做到200層，發現技術上不可行，導致進度落後了。

報道稱，三星高層雖然拒絕承認技術延誤了，但不得不承認進度確實落後了一截，高官表示技術變化導致他們花費更多時間和投資修改製程，預計明年才能（推出176層）快閃記憶體。

三星追趕的時間可能是在明年Q1季度後，預計2021年4月份推出176層或者更低一些的160層快閃記憶體。