國產雄起！合肥長鑫19nm DRAM記憶體晶片產能增加

• 2019 年 11 月 13 日
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存儲器產品佔到了中國每年進口半導體晶片中的大頭，其中DRAM記憶體晶片佔比最高，有20%以上。

最新報道稱，合肥長鑫正逐步提到19nm DRAM晶片的產能，目標是月產4萬片晶圓。

在9月份開幕的201 9世界製造業大會上，合肥長鑫公司宣布總投資1500億元的合肥長鑫記憶體晶片自主製造項目投產，將生產國產第一代10nm級8Gb DDR4記憶體。

長鑫存儲董事長兼首席執行官朱一明介紹，投產的8Gb DDR4通過了多個中國外大客戶的驗證，今年底正式交付，另有一款供移動終端使用的低功耗產品也即將投產。

據悉，長鑫的DRAM技術主要來自已經破產的奇夢達，包括將後者一千多萬份有關DRAM的技術文件及2.8TB數據收歸囊中。