X光下的iPhone 12 MagSafe磁吸充電器:滿分!

為了讓大家對蘋果iPhone12  MagSafe磁吸無線充電器有更加全面的了解,我們合CNAS授權的芯片分析實驗室西安半導體功率器件測試應用中心,共同對MagSafe磁吸無線充電器進行芯片級的分析。

西安半導體功率器件測試應用中心是國家CNAS授權的第三方實驗室,實驗室由四個科室組成,分別為半導體測試實驗室,主要進行半導體動態、靜態、熱參數的測試;半導體失效分析實驗室,主要進行各類半導體器件的失效分析;半導體可靠性實驗室,主要各類半導體器件提供全面的可靠性測試評估;半導體應用實驗室,主要從事器件在系統級應用、測試及分析。

iPhone 12 MagSafe磁吸充電器IC級分析:科技感滿分

蘋果MagSafe無線充電器的包裝盒仍然是典型的蘋果風設計,白色基調,形狀方正。盒子正面設有蘋果logo、MagSafe Charger和產品外觀圖,十分簡約。

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紙盒內部採用紙槽用來放置充電板,中間卡紙固定線纜。整個包裝全部紙質化,可以說是蘋果環保行動的一個很好體現。

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iPhone12 MagSafe磁吸無線充電器主電路由兩部分組成,分別為USB Type-C線頭單元電路及線圈發射單元電路。無論是線頭部分還是發射部分,整個充電器做工緊湊,體積極小,鋁型材後殼,科技感十足。

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線圈發射部分外觀

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線圈發射部分 X RAY圖

從發射部分的XRAY圖中可以清晰的看出16塊釹鐵硼強磁鐵拼裝成的環形磁鐵,同時線圈、電路板及線圈的焊接點均清晰可見。

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USB-C部分外觀

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USB-C部分 X RAY圖

從線頭XRAY圖可清晰看出其電感、線頭焊接點,電路板及輸出的三顆電容,拆解後經測量其容量為22μF。

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USB Type-C線頭單元解剖後發現其主要IC有兩款,分別是同步BOOST IC 和Type-C接口控制IC。該兩款IC封裝形式均為FC-BGA(Flip Chip Ball Grid Array),該種倒裝技術較我們常用的WireBond封裝技術的芯片有較好的EMI特性及電性能,同時可將WireBond封裝芯片芯片的面積減小30%-60%,這種封裝方式特別適合MagSafe磁吸無線充電器這種對產品尺寸要求極高的產品,因此iPhone12  MagSafe磁吸無線充電器採用的主控IC均為FC-BGA封裝的IC。

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BOOST採用TI的IC,絲印為2ASH。TI官網未查到相應型號,根據管腳功能及封裝形式推測該IC應該為TI為Apple定製的BOOST升壓IC,TI該款IC市場版本型號為TPS61178,為內部集成2顆16mΩ的同步BOOST IC。有強制PWM模式和輕載PFM兩款可選。

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BOOST 升壓IC XRAY圖

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BOOST 升壓IC DECAP 圖

結合XRAY、DECAP圖、電路板上測量、TPS61178規格書等信息可確認出其中見三個豎形銅框架分別為該款IC的Vout、SW、GND等功率管腳,從去除框架的的DECAP圖中可看出其中導電的三個管腳周圍形成的方框是兩顆同步升壓MOS管,左右兩側為IC的控制及保護電路。

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TPS61178的典型應用如上圖所示,MagSafe磁吸無線充電器實際使用時電感採用3.3μH的電感,輸出採用了3顆22μF的電容並聯,取值也與TPS61178典型取值一致。

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USB Type-C控制器採用的賽普拉斯的CYPD2104,賽普拉斯目前已被英飛凌收購。CYPD2014內部集成了32位的ARM Cortex-M0處理器,支持一個Type-C端口,符合PD標準。採用BGA封裝,體積極小。

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賽普拉斯 CYPD2104 XRAY圖

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CYPD2104 在線纜上的典型應用圖

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CYPD2104  DECAP圖

在升壓線頭上面,除過上面兩個主控IC外,另外還有兩顆IC,絲印分別為1324V和2P,這兩顆IC的外觀及解剖圖分別如下:

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絲印1324V的芯片和絲印2P的芯片外觀

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1324V XRAY 圖

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1324V DECAP圖

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1324V DECAP圖

1324V從其DECAP的圖片來看,其有大面積銅框架左側部分很大可能是兩顆MOS,右側則是芯片電路部分,MOS管用於輸入過壓過流保護功能,保護接口和後級元件不被損壞。

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2P XRAY圖

絲印為2P的IC則採用相對傳統的DFN封裝形式,從其XRAY圖片可以看到明顯的打線。

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2P DECAP 圖

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DECAP圖片放大

通過DECAP圖片看出這顆IC來自安森美,NCP715,低功耗寬輸入LDO。XDFN6封裝,結合絲印信息判斷是一顆3.3V穩壓。

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線圈發射部分由兩部分電路組成,分別是連接認證控制部分和無線充電線圈發射部分,從充電頭網之前的解剖圖片中可以看出,兩部分分別被屏蔽罩蓋着。無線充電線圈外側是NFC線圈。線圈發射部分的控制採用的ST意法半導體的芯片,ST官網在無線充方嚮應用的發射芯片為STWBC-MC,而本次解剖的型號為STWPSPA1,應該屬於ST為Apple定製IC。

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該IC直接採用晶圓級封裝(WL-CSP Wafer level Chip Scale Package),這種封裝的器件成品大小與芯片尺寸相同,與傳統封裝形式相比,該封裝最大程度的降低了封裝導致的體積增加,該封裝形式的優勢與FC-BGA的優勢類似;不同的是FC-BGA是關於管腳焊接的工藝角度來說,WL-CSP則是從芯片本身的角度來考慮,本次的線圈主控IC STWPSPA1則同時用到了FC-BGA和WL-CSP兩種技術,從而使得芯片封裝的體積最小化,Magsafe磁吸式無線充使用該種封裝的器件從而使得體積優勢最大化。

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STWPSPA1 XRAY圖

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STWPSPA1 DECAP圖

通過DECAP圖可以看出,STWPSPA1芯片右側內置兩顆MOS管,與芯片外置的兩顆組成H橋驅動無線充電線圈。

發射端的認證芯片同樣採用ST的芯片,為STM32F446MEY6,用於連接認證以及無線充電器其他保護控制功能。

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STM32F446MEY6是ST的帶DSP和FPU的高性能基礎系列ARM Cortex-M4 MCU,其封裝也採用的WL-CSP封裝,用於減小封裝體積。STM32F446MEY6同樣的採用了FC-BGA和WL-CSP兩種封裝技術,不同的是其芯片表面塗上了一層黑色的塗層,用於保護芯片。

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STM32F446MEY6  XRAY圖

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STM32F446MEY6  DECAP圖

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為STM32F446MEY6供電的是一顆MPS的降壓芯片,同步整流,採用DFN-8封裝。

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MPS降壓芯片X RAY圖

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發射線圈旁邊還有兩顆MOS管,這兩顆MOS管為DFN3*3的封裝,絲印為06 OBU。

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06 OBU  XRAY圖

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06 OBU DECAP圖

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06 OBU DECAP圖

這兩顆MOS則採用了傳統的框架打線工藝,從圖片中可以清晰的看到其框架、晶圓、打線等結構。

結語:

蘋果MagSafe磁吸無線充電器電路設計複雜,體積極小,主控IC均採用了FC-BGA倒裝技術,發射線圈部分的IC還採用WL-CSP技術,從而使得MagSafe磁吸無線充電器的電路部分的體積降到最小。

iPhone12 Magsafe磁吸無線充電器不僅在系統級設計上採用了最新的無線充電技術,在芯片選用上也採用了先進的半導體器件,同時裏面用到多款定製規格的IC,整個產品結構緊湊、質感優良、科技感十足。