三星發現全新半導體材料：內存、閃存迎來革命

• 2020 年 7 月 6 日
• 資訊
• 三星, 內存, 半導體, 閃存

三星電子宣布，三星先進技術研究院(SAIT)聯合蔚山國家科學技術院(UNIST)、英國劍橋大學，發現了一種全新的半導體材料「無定形氮化硼」(amorphous boron nitride)，簡稱a-BN，有望推動下一代半導體芯片的加速發展。

近些年，三星SAIT圍繞只有一層原子厚度的2D材料展開了集中攻關，尤其是圍繞石墨烯取得了多項突破，包括石墨烯勢壘三極管、新的石墨烯晶體管、大面積單晶體晶圓級石墨烯製造新法等等，並在加速它們的商業化。

無定形氮化硼擁有無固定形狀的分子結構，內部包含硼原子、氮原子。它源自白石墨烯，後者也有硼原子、氮原子，不過是六邊形結構，無定形氮化硼則與之截然不同。

三星表示，無定形氮化硼的介電常數非常之低，只有區區1.78，同時又有很強的電氣和力學屬性，作為一種互連隔絕材料可以大大減少電子干擾，而且只需400℃的超低溫度，就能成長到晶圓級別尺寸。

三星認為，無定形氮化硼有望廣泛應用於DRAM內存、NAND閃存的製造，特別適合下一代大規模服務器存儲解決方案。