Intel晶片廠產能將提升30% 將首發下代EUV光刻機
今年3月份Intel新任CEO基辛格宣布了全新的IDM 2.0戰略，此後Intel開始了大規模的工廠擴建計劃，在美國、歐洲、亞洲等地區都會建晶圓製造及封測工廠，未來五年內產能提升30%，而且新製程頻發。
今年9月份，Intel已經在亞利桑那州動工建設新的晶圓廠，投資高達200億美元，兩座工廠分別會命名為Fab 52、Fab 62，並首次透露這些工廠將會在2024年量產20A製程——這與之前預期的不同，原本以為會量產的是Intel 4這樣的下兩代製程。
在歐洲，Intel之前宣布了未來十年內有望投資1000億美元的龐大計劃，目前除了擴建愛爾蘭的晶圓廠之外，還有望在德國建設新的晶圓廠，在義大利建設新的封測廠，只不過現在還沒有正式公布，要到明年初才能決定。
前不久Intel還宣布在馬來西亞投資71億美元擴建封測廠，這裡是Intel的晶片封測基地。
業界估計，Intel此番大舉擴張，預計在5年內，也就是2026年的時候產能將增長30%以上，有望追趕台積電。
除了產能提升之外，Intel的晶片製程也會突飛猛進，從今年底的12代Core使用的Intel 7製程開始，到2025年的四年里升級五代製程——分別是Intel 7、Intel 4、Intel 3及Intel 20A、Intel 18A，其中前面三代製程還是基於FinFET電晶體的，從Intel 4開始全面擁抱EUV光刻製程。
至於後面的兩代製程，20A首次進入埃米級時代，放棄FinFET電晶體，擁有兩項革命性技術，RibbonFET就是類似三星的GAA環繞柵極電晶體，PoerVia則首創取消晶圓前側的供電走線，改用後置供電，也可以優化訊號傳輸。
20A製程在2024年量產，2025年則會量產改進型的18A製程，這次會首發下一代EUV光刻機，NA數值孔徑會從現在的0.33提升到0.55以上。
