2020年Intel TOP3技术创新：10nm工艺位列第二

• 2020 年 12 月 18 日
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• CPU处理器, Intel, 半导体, 工艺

2020年还有不到2周就过完了，年底又是一个回顾总结的季节了，Intel公司在这一年中有什么技术创新呢？芯片业内人士给点评了一下，10nm SuperFin工艺位列第二。

推出这个评选的是推特用户Witeken，他不仅经常爆料AMD/Intel最新信息，也是芯片行业的专业人士，评选的主要是芯片技术层面的，很专业。

根据他的选择，2020年Intel第一大技术创新是Lakefield处理器上的Foveros 3D堆栈，这是一种新的3D封装技术，可以把不通工艺的IP核心封装在一起，Lakefield的5核心就是1个大4小，分别使用了10nm、22nm工艺的。

第二个创新是Tiger Lake上首发的10nm SuperFin工艺，这也是今年Intel在CPU工艺上最重要的一次进步，使用了全新的Super MIM器件，号称实现了单节点内最大的性能提升，超过15%。

虽然很多人看工艺数字都觉得Intel的10nm SF工艺不如台积电7nm、5nm先进，但是别忘了，Intel在半导体技术上的根底还在，10nm工艺的创新确实不少，详细可以了解这里。

第三大创新就是硅基光电子，带宽是PCIe 6.0的6倍，这也是Intel布局未来半导体技术的一个重点领域，光电子技术也很领先，只是现在还没大规模商业化。

其他还有3条新技术，分别涉及低温工艺、A,MX指令集及Statix 10 NX FPGA芯片等，相比前面三条更加专业。