單條1TB記憶體不是夢 DDR6記憶體將在2024年完成設計
DDR5記憶體去年隨著Intel 12代Core的發布而正式進入商用階段，今年AMD的Ryzen7000也會加入支援，未來幾年裡這會是新的記憶體主流，不過它的繼任者DDR6記憶體也在路上了，頻率可能會達到17GHz，預計2024年完成設計。
日前三星高層在一次會議上確認了他們研發的DDR6記憶體會用上MSAP封裝製程，有助於提高PCB的高頻高速性能，不過SK海力士已經在DDR5記憶體上就使用過MSAP技術了。
這不是三星第一次提到DDR6記憶體，實際上去年底三星就公布了DDR6記憶體的路線圖，相比DDR5記憶體來說會進一步提升記憶體頻率、容量。
具體來說，三星之前提到DDR6會比DDR5頻率再次翻倍，達到了12.8GHz（或者12.8Gbps）,超頻頻率則可以達到17GHz，是DDR5的2倍、DDR4的4倍。
不過這顯然不是極限，實際上現在的DDR5記憶體頻率已經衝到了12.6GHz，DDR6未來的頻率上限超過20GHz也不是沒可能。
除了頻率之外，DDR6的記憶體容量也有大漲，每個記憶體條內的通道數翻倍到4通道，bank容量從16提升到64，這些都會數倍提升DDR6的記憶體容量，考慮到現在都可以製造出單條256GB的記憶體，未來單條1TB的DDR6記憶體不是夢。
按照三星的計劃，DDR6預計會在2024年完成設計，不過2025年之前是不可能見到產品的，未來普及的話可能更遠，畢竟DDR5現在也就是剛剛商用階段。
