小米自研晶片又有重要進展 雷軍發聲
今天，小米創辦人、小米集團董事長兼CEO雷軍提到了小米自研澎湃晶片。雷軍表示，澎湃晶片家族一直在堅定持續地往前走，這次又有了新進展，很快會向大家彙報。
自從澎湃晶片誕生以來，這個系列先後發布了澎湃S1、澎湃C1、澎湃P1等多款晶片，其中S1是手機處理器，C1是影像晶片，P1是充電晶片。
其中P1由小米12 Pro首發搭載，雷軍稱「P1填補了行業空白」。
小米12 Pro
具體來說，澎湃P1作為業界首個諧振充電晶片，擁有自適應開關頻率的4:1超高效率架構，諧振拓撲效率高達97.5%，非諧振拓撲效率為96.8%，熱損耗直線下降 30% 。
同時，澎湃P1也是小米充電效率最高的4:1充電晶片，可做到0.83W/mm²超高功率密度，LDMOS也達到業界領先超低1.18mΩmm² RSP。
在P1的助力下，小米12 Pro實現了單電芯120W超級秒充。相比之前小米10至尊版上的120W快充，小米12 Pro的單電芯120W秒充方案速度更快、更節省內部空間。
這次小米即將帶來小米12 Pro的升級版，名為小米12S Pro，該機支援120W有線閃充，預計同樣會用到澎湃P1晶片，新品會在7月4日登場。
