DDR5影子都追不上三星研發新記憶體：輕鬆1024GB/s

AMD及Intel的新一代平台已經支援了DDR5記憶體，雙通道的頻寬輕鬆超過50GB/s，高頻版的逐漸逼近100GB/s，然而這個性能跟HBM3記憶體比起來還是小巫見大巫，三星已經研發了新的HBM3記憶體，頻寬輕鬆超過1024GB/s。

JEDEC組織今年初發布了HBM3的標準，繼續在存儲密度、頻寬、通道、可靠性、能效等各個層面進行擴充升級，其中傳輸數據率在HBM2基礎上再次翻番，每個針腳(pin)的傳輸率為6.4Gbps，配合1024-bit位寬，單顆最高頻寬可達819GB/s。

三星研發的新一代HBM3記憶體陣腳速率更高，達到了8Gbps/pin，堆棧4顆的情況下頻寬輕鬆達到1024GB/s，是DDR5記憶體的十幾倍。

另外，頻率越高的話出錯也更多，為此三星還有更強的記憶體糾錯功能，每個HBM記憶體晶片都內置了1組ECC糾錯電路，確保數據準確性。

三星的HBM3記憶體沒有公布何時上市，不過真要應用的話應該也會首先用於數據中心顯示卡及處理器上，消費級平台使用的可能性不大，畢竟HBM3的成本是普通用戶無法承受的。