兆易創新募資33.2億元研發DRAM記憶體 最快2021年量產

• 2019 年 12 月 30 日
• 資訊

中國最大的NOR快閃記憶體公司兆易創新上周末發表公告，宣布向10位投資者定向募集33.2億元資金，主要用於DRAM記憶體研發及產業化，最快2021年開始量產。

在募資公告中，兆易創新公布了這個項目的預計實施時間及整體進度安排，具體如下：

·2020年，兆易創新將啟動首款DRAM晶片產品定義，包括市場定位、產品規格及晶片設計製程。

·2020年，兆易創新將定義首款晶片的生產職稱，並將經過驗證後的設計開展流片試樣，反覆修改直至通過系統驗證。

·2021年，對首款晶片試樣進行封裝測試，並送交系統晶片商進行功能認證，並最終通過客戶驗證。

·2021年，首款晶片通過驗證之後進行小批量生產，測試成功後進行大批量生產。

·2022-2025年，進行新系列晶片研發及量產。

從兆易創新的安排來看，如果沒有延期，那麼他們的DRAM記憶體晶片最快會在2021年量產，2022年之後則會開始多個系列的產品研發及量產。

截至 2019 年 9 月 30 日，兆易創新公司及控股子公司共擁有和使用 508 項境內專利、21項境外專利及 16 項積體電路布圖設計。

在 DRAM 技術及研發方面，公司已組建由數十名資深工程師組成的核心研發團隊，涵蓋前端設計、後端產品測試與驗證，該團隊的核心技術帶頭人員從事 DRAM 晶片行業平均超過二十年，具備較強的技術及研發實力。

此外，公司在存儲器領域的技術研發能力及擁有豐富經驗的資深工程師團隊也能夠有效地加速推進 DRAM 晶片的研發工作。