國產55nm快閃記憶體量產：可擦寫10萬次、夠用20年
雖然在NAND快閃記憶體領域中國還要落後不少，但在NOR快閃記憶體市場上，中國公司實力不弱，兆易創新是全球第一大NOR快閃記憶體供應商。
日前在兆易創新存儲器事業部市場經理薛霆接受了電子創新網的採訪，透露了NOR快閃記憶體的最新進展及未來發展情況。
薛霆表示，「兆易創新的Flash目前全部產品線都已經過渡到55nm新製程，我們已經推出了一系列從最小容量512Kbit到最大容量2Gbit的全系列的SPI NOR Flash。我們是全球第一家把SPI NAND Flash推向世界而且量產的公司。」
薛霆提到，兆易創新「3年前就開始推動55nm製程研發，經過3千片以上wafer的磨合，把55nm做到了可以大規模量產。
目前兆易創新55nm的產品第一，製程上更先進，每一顆的體積更小，功耗上也比65nm降低了30%左右。從功耗到面積都帶來了更多的節省，給客戶也帶來了更有性價比的產品。
NOR快閃記憶體除了PC、筆記型電腦、伺服器要用之外，5G基地台、路由、汽車、機頂盒、TWS無線耳機等產品也要用，這些市場對快閃記憶體的可靠性要求極高。
薛霆提到，比如5G基地台中，往往需要至少10萬次擦寫，20年的數據保證時間，這些也正好是兆易創新擅長的。
去年7月份，兆易創新宣布推出中國首款容量高達2Gb、高性能SPI NOR Flash——GD25/GD55 B/T/X系列產品，該系列可提供512Mb至2Gb的不同容量選擇，支援高速4通道以及兼容JEDEC xSPI和Xccela規格的高速8通道，主要面向需要大容量存儲、高可靠性與超高速數據吞吐量的工業、車載、AI以及5G等相關應用領域。
