SSD主控催化劑：STT-MRAM自旋磁阻記憶體升級GF 12nm製程

• 2020 年 3 月 15 日
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GlobalFoundries、Everspin聯合宣布，雙方已經達成新的合作，將利用GF 12LP(12nm FinFET)製程來製造新一代STT-MRAM(自旋轉移矩磁阻記憶體)，包括獨立的MRAM晶片和嵌入式的eMRAM。

MRAM是一種非易失性存儲，其前景被廣泛看好，Intel、IBM、TDK、三星、Seagate等行業巨頭多年來一直都在研究，讀寫速度可以媲美SRAM、DRAM等傳統記憶體，但同時又是非易失性的，也就是可以斷電保存數據，綜合了傳統記憶體、快閃記憶體的優點。

STT-MRAM則進一步通過自旋電流實現數據寫入，具備結構簡單、成本低、損耗小、速度快等一系列優點，只是容量密度提升困難，所以想取代記憶體、快閃記憶體暫時不現實，但非常適合用在各種嵌入式領域。

GF、Everspin的良好合作由來已久，2012年的第一代STT-MRAM就是用GF 40nm製造的，單顆容量32MB，2019年的第二代則升級為GF 28nm，單顆容量翻了兩番達到128MB。

就在日前，GF 22FDX製程成功試產了eMRAM，-40℃到125℃環境下可工作10萬個周期，數據保持可長達10年。

進一步升級到12nm，自然有利於進一步提升MRAM的容量密度，並繼續降低成本，尤其是隨著MRAM晶片容量的提高，迫切需要更先進的製程。

GF 12nm製程包括12LP、12LP+兩個版本，雖然算不上多先進但也有廣闊的用武之地，尤其適合控制器、微控制器等，比如群聯電子、Sage的不少企業級SSD主控都計劃加入eMRAM，從而提升性能、降低延遲、提高QoS。

雖然大家可能覺得沒見過MRAM，不過Everspin宣稱已經向100多家客戶出貨了1.25億顆MRAM晶片，還援引報告稱到2029年獨立MRAM晶片銷售額可達40億美元。