STM32H7內部Flash的讀保護說明（Level0默認，Level1連接保護，Level2設備和自舉保護）

• 2020 年 3 月 15 日
• 筆記

RDP（read out protection） 1、Level 0（無保護）   默認設置，所有讀寫和擦除操作都可以正常支援。 2、Level 1 （Flash連接保護） （1）可以防止連接調試器時讀取Flash內容，或者RAM中存有惡意獲取程式碼，也是禁止的。         因此只要調試器連接晶片，或者從內部RAM啟動運行程式碼，都是禁止訪問內部Flash的 （2）如果沒有檢測到從內部RAM啟動，從系統bootloader啟動且沒有連接調試器，對用戶Flash的讀寫和擦除操作都是允許的，並且其它安全存儲區也是可以訪問的。否則是禁止訪問的，一旦檢測到對Flash的讀請求，將產生匯流排錯誤。 （3）如果將Level 1切換到Level 0時，用戶Flash區和安全區域將被刪除。 3、Level 2（設備保護和自舉保護） （1）所有調試特性被關係。 （2）禁止從RAM啟動。 （3）除了選項位元組裡面的SWAP位可以配置，其它位都無法再更改。 （4）禁止了調試功能，且禁止了從RAM和系統bootloader啟動，用戶Flash區是可以執行讀寫和擦除操作的，訪問其它安全存儲區也是可以的。 特別注意：Level2修改是永久性的，一旦配置為Level2將不再支援被修改。 一覽表：

設置讀保護的話，使用HAL的API可以設置，也可以使用STM32CubeProg設置：