238層快閃記憶體來了！國產只差一步
日前，美光全球第一個宣布了232層堆疊的NAND快閃記憶體，全球首家突破200層，已經投入量產。
新快閃記憶體走的還是TLC，首次引入6個平面，存儲密度創新高14.6Gb/mm2，2.4GB/s IO速度提升50％，讀取頻寬提升785％，寫入頻寬提升10％，封裝面積減小28％，還首發支援NVLPDDR4記憶體。
不過只過了兩天，韓國快閃記憶體巨頭SK海力士就宣布，計劃今年內試產238層的NAND快閃記憶體，並在明年上半年量產，比美光多了8層。
SK海力士沒有透露238層快閃記憶體的技術細節，只是說各家的技術路線圖、產品發布節奏不同，SK海力士的首要目標是實現行業最高的盈利水平。
另外，SK海力士計劃今年將176層快閃記憶體的出貨比例提高到70％，並進一步提升毛利率。
國際巨頭你追我趕，國產快閃記憶體也沒停下。
長江存儲目前的最新量產快閃記憶體是128層，之前有消息稱已經試產192層，但也有說法稱又跳過了192層而直接切入232層。
但何時量產尚無明確時間表，有說法稱快則2023年底，慢則2024年。
果真如此的話，國產快閃記憶體與國際最先進水平的差距，也就一年多點。
