台積電稱2020年投入先進位程約160億美元,將在4月公布3nm製程細節
- 2020 年 2 月 21 日
- 筆記
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台積電是否會在3nm製程上繼續選擇FinFET,這將影響到整個行業先進位程的走勢。
策劃&撰寫:Lynn
繼三星之後,台積電也正式對外公布了其3nm製程計劃。
在剛結束不久的說法會上,台積電宣布,其2020年的開支大約會在150到160億美元之間,其中80%將投向先進產能擴增,包括7nm、5nm及3nm。其中,關於3nm製程的具體情況,台積電稱將會在4月份的發布會上公開。
目前,業內普遍認為3nm製程決定了未來半導體新製程的發展方向,因此半導體製造領域的巨頭們最終會在3nm製程上選擇什麼路線,成為業內格外關注的話題。
此前三星就宣布了3nm製程計劃,明確表示會放棄FinFET電晶體,轉向GAA環繞柵極電晶體技術。具體來說,三星的3nm製程分為3GAE、3GAP,後者的性能更好,不過首發的是第一代GAA電晶體製程3GAE。
根據官方說法,基於全新的GAA電晶體結構,三星通過使用納米片設備製造出了MBCFET(Multi-Bridge-Channel FET,多橋-通道場效應管),該技術可以顯著增強電晶體性能;此外,MBCFET技術還能兼容現有的FinFET製造製程的技術及設備,從而加速製程開發及生產。
在2019年的日本SFF會議上,三星還公布了3nm製程的具體指標,與現在的7nm製程相比,3nm製程可將核心面積減少45%,功耗降低50%,性能提升35%。
三星計劃在2030年前投資1160億美元打造半導體王國,由於在7nm、5nm節點上都要落後於台積電,所以三星押注3nm節點,希望在這個節點上超越台積電成為第一大晶圓代工廠,因此三星對3GAE製程寄予厚望,最快會在2021年就要量產。
至於台積電,在3nm節點他們也大舉投資,去年宣布斥資195億美元建設3nm工廠,2020年會正式開工,不過技術細節一直沒有透露,尤其是台積電是否會像三星那樣選擇GAA電晶體還是會繼續改進FinFET電晶體,這將影響到整個行業走勢。