台積電稱2020年投入先進位程約160億美元，將在4月公布3nm製程細節

• 2020 年 2 月 21 日
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台積電是否會在3nm製程上繼續選擇FinFET，這將影響到整個行業先進位程的走勢。

策劃&撰寫：Lynn

繼三星之後，台積電也正式對外公布了其3nm製程計劃。

在剛結束不久的說法會上，台積電宣布，其2020年的開支大約會在150到160億美元之間，其中80%將投向先進產能擴增，包括7nm、5nm及3nm。其中，關於3nm製程的具體情況，台積電稱將會在4月份的發布會上公開。

目前，業內普遍認為3nm製程決定了未來半導體新製程的發展方向，因此半導體製造領域的巨頭們最終會在3nm製程上選擇什麼路線，成為業內格外關注的話題。

此前三星就宣布了3nm製程計劃，明確表示會放棄FinFET電晶體，轉向GAA環繞柵極電晶體技術。具體來說，三星的3nm製程分為3GAE、3GAP，後者的性能更好，不過首發的是第一代GAA電晶體製程3GAE。

根據官方說法，基於全新的GAA電晶體結構，三星通過使用納米片設備製造出了MBCFET（Multi-Bridge-Channel FET，多橋-通道場效應管），該技術可以顯著增強電晶體性能；此外，MBCFET技術還能兼容現有的FinFET製造製程的技術及設備，從而加速製程開發及生產。

在2019年的日本SFF會議上，三星還公布了3nm製程的具體指標，與現在的7nm製程相比，3nm製程可將核心面積減少45%，功耗降低50%，性能提升35%。

三星計劃在2030年前投資1160億美元打造半導體王國，由於在7nm、5nm節點上都要落後於台積電，所以三星押注3nm節點，希望在這個節點上超越台積電成為第一大晶圓代工廠，因此三星對3GAE製程寄予厚望，最快會在2021年就要量產。

至於台積電，在3nm節點他們也大舉投資，去年宣布斥資195億美元建設3nm工廠，2020年會正式開工，不過技術細節一直沒有透露，尤其是台積電是否會像三星那樣選擇GAA電晶體還是會繼續改進FinFET電晶體，這將影響到整個行業走勢。