牛津大學團隊研發出新型存儲單元，融入晶片級光子技術

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該設計大幅度提升了頻寬和功效。

策劃&撰寫：Lynn

隨著應用端需求的不斷提升，存儲、計算和通訊晶片模組性能的局限性也愈發明顯，因此業內研究人員都在不斷探索新的技術方向，以用最低成本開發出更優性能的硬體來支援軟體系統的發展。

最近，在存儲單元設計上，牛津大學研究團隊找到了新的方法。

據報道，他們設計了一種新型電腦存儲單元，可以同時通過電和光訊號對其進行訪問或寫入，大幅度提升了頻寬和功效，也進一步推動了晶片級光子學技術的發展。

據悉，科學家最新研發的存儲單元是一種非易失性的鍺基化合物，位於金電極和氮化硅通道的交叉點。當電子流過金電極，光波通過通道漏斗，因此任一單元命中該單元時，該單元就可以在二進位或多級狀態之間切換。

這一設計方法有諸多好處。

首先，用光代替電子是一種明顯更理想的訊號形式，它可以保證更大的頻寬和更高的功效。而將之用於板級和晶片級的設計上，光通訊的低功率閾值可以保證訊號更快發送；在片上延遲方面，也比電訊號低好幾個數量級。

其次，不同於現有的設計，兩種記憶體（無論是主存儲記憶體還是快取）模組都可以接受和輸出兩種格式的資訊，因此無需再進行轉換，通訊效率也更高。

值得指出的是，在晶片上運用光子技術本身難度就很高，如操縱這種精細形式的能量有著極高的複雜性，將光訊號轉換為電訊號需要大功率和大空間等，因此該方面的研發工作一直難有突破。這一次牛津大學的研究成果對於存儲產業來說有著重要的意義，它將會把未來先進的存儲模組設計帶上一個新高度。