DDR6記憶體首曝：容量、性能大增

• 2022 年 7 月 15 日
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• DDR6, DRAM, 三星, 記憶體顆粒

當下，DDR5記憶體還遠未到要主流普及的程度。不過，DRAM記憶體晶片的頭部廠商們已經著手DDR6研製了。

日前在韓國水原舉辦的一場研討會上，三星測試與系統封裝副總裁Younggwan Ko表示，為適配半導體存儲產品的性能的增長，封裝技術必須不斷進步。

會上，他明確，在DDR6記憶體晶片的開發中，三星將使用MSAP，也就是改良型半加成製程(Modified semi-additive process)。

資料顯示，MSAP起初應用於IC載板高精密線路製作，技法是首先在附有超薄底銅的基板上貼合干膜使用正片進行圖形轉移，再通過圖形電鍍加成形成線路，最後去除干膜和底銅完成高精密布線，以實現提升PCB的高頻高速性能。

和當前三星使用的隆起法相比，MSAP在空白部分也要鍍層。

Ko指出，DDR6的存儲容量和處理速度將大幅增加，需要更多的堆疊層數，對封裝技術來說既是機遇也是挑戰。

另外，Ko也坦言，友商已經先於自己在DDR5顆粒上使用MSAP技術了。

事實上，雖然出貨上仍舊是DRAM龍頭老大，但三星在技術開發上的確出現落後，拋開上文的MSAP，1a DRAM晶片量產進度也不及SK海力士和美光。

值得一提的是，根據早先爆料，DDR6記憶體的頻率預計在12~17GHz，問世起碼還要5年時間。

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