3nm彎道超車台積電之後 三星2nm製程蓄勢待發:3年後量產
在6月最後一天,三星宣布3nm製程正式量產,這一次三星終於領先台積電率先量產新一代製程,而且是彎道超車,後者的3nm今年下半年才會量產。
根據三星官方介紹,在3nm晶片上,其放棄了之前的FinFET架構,採用了新的GAA電晶體架構,大幅改善了晶片的功耗表現。
與5nm相比,新開發的3nm GAE製程能夠降低45%的功耗,減少16%的面積,並同時提升23%的性能。
第二代的3nm GAP製程可以降低50%的功耗,提升30%的性能,同時面積減少35%,效果更好。
再往後呢?三星也有了計劃,3nm GAP製程之後就會迎來2nm GAP製程,也是基於納米片技術的GAA電晶體,但是結構進一步優化,從3個納米片提升到4個,可以提高驅動電流,同時還會優化堆疊結構以提升性能,降低功耗。
2nm GAP製程的量產時間也定了,預計在2025年量產,時間點跟台積電量產2nm製程差不多,而且很可能在技術上領先後者,因為台積電的2nm製程在電晶體密度上擠牙膏,提升只有10%。