全球首發全柵極場效應電晶體！3nm製程將量產功耗暴降50%

很顯然，現在的三星想要通過大規模量產更先進製程，來對台積電實現超越，這個你覺得能行嗎？

據韓國媒體報道稱，三星將在未來幾天宣布開始批量製造，在生產世界上最先進的晶片的過程中擊敗競爭對手台積電。

在此之前這家韓國科技巨頭在向更小的製程節點轉移時出現了很多產量問題，以至於影響了它的一些最大客戶的業務，如高通公司，該公司現在正考慮將台積電用於未來的移動晶片。

NVIDIA在處理了Ampere GPU的良品率問題和相對較低的能源效率後，正為其下一代產品選擇台積電，這些GPU原本是在三星的8nm製程節點上製造的。

來自韓國當地媒體的報道顯示，三星正準備宣布開始3納米的批量製造，可能最快在本周。這將是對競爭對手台積電的一次重大挑戰，這也意味著這家韓國公司將成為第一個使用全柵極場效應電晶體（GAAFET）的公司。

三星稱其實施的3納米GAAFET電晶體為多橋通道場效應電晶體，但這只是電晶體的一個技術名稱，它背後的優勢才是關鍵：功率減少50%，佔用的空間減少45%，並能在極低電壓下更穩定地運行。

有傳言稱，三星也已經獲得了新製程節點的第一批客戶，該公司是否能夠避免重蹈8nm和4nm的覆轍將是值得關注的。無論如何，代工業務是三星底線的一個強有力的貢獻者，其一半以上的營業利潤–約67億美元和變化–來自晶片部門。