積電3nm製程竟有5種之多！其中3種都看不懂
台積電今天不僅公布了Nanosheet碳納米片技術的開山之作N2 2nm製程，還展示了FinFET鰭式電晶體的終結之作N3 3nm製程，發展出了多達五種不同版本，也是歷代製程中最豐富的。
N3
最早也是最標準的3nm，今年下半年投入量產，預計明年初可以看到產品上市。
它面向有超強投資能力、追求新製程的早期客戶，比如蘋果、AMD這種，但是應用範圍較窄，只適合製造特定的產品。
對比N5，功耗可降低約25-30％，性能可提升10-15％，電晶體密度提升約70％。
Ehanced增強版，近期就會風險性試產，明年年中規模量產，產品上市預計2023年底或2024年初。
它在N3的基礎上提升性能、降低功耗、擴大應用範圍，對比N5同等性能和密度下功耗降低34％、同等功耗和密度下性能提升18％，或者可以將電晶體密度提升60％——是的，它的密度反而低於N3。
台積電還稱，N3E可以達到比N4X更高的頻率，後者明年投產。
N3P
Performance性能增強版，細節不詳。
N3S
密度增強版，細節不詳。
N3X
超高性能版，不在乎功耗和成本，也是N4X的繼承者。
值得一提的是，N3E製程還可以根據客戶需求訂製柵極、鰭片數量，性能、功耗、面積指標也不一樣，官方稱之為「FinFlex」。
比如2個柵極1個鰭片，可以性能提升11％、功耗降低30％、面積縮小36％。
2個柵極2個鰭片，可以性能提升23％、功耗降低22％、面積縮小28％。
3個柵極2個鰭片，可以性能提升33％，功耗降低12％，面積縮小15％。
