國產SSD奮起直追：中韓快閃記憶體晶片差距已經這麼小了
國產存儲晶片正蓬勃發展，代表企業有合肥長鑫（DRAM）、武漢長江存儲等。
日前，韓國研究機構OERI在一份報告中分析指出，中韓DRAM晶片技術的差距大約是5年，NAND快閃記憶體晶片則已經縮短至2年。
據悉，長江存儲從2021年8月開始量產64層3D NAND，比三星、SK海力士只晚了兩年。至於更先進的超200層3D快閃記憶體，三星和SK海力士需要等到明年初，預計長江存儲會在2024年做到這一點。
不過，報告認為有個變數是如果蘋果真的為旗下產品比如iPhone引入長江存儲的晶片，那麼或將起到打破產業鏈格局的作用。
