華為與中科院共研 新3D晶片有望突破存儲關鍵根技術
近日，有日本媒體表示，華為將在VLSI Symposium 2022期間發表其與中科院微電子研究所合作開發的 3D DRAM 技術，進行各種有關記憶體的演示。
據外媒透露，華為這次發布的3D DRAM 技術，是基於銦鎵鋅氧 IGZO-FET材料的 CAA 構型電晶體 3D DRAM 技術，具有出色的溫度穩定性和可靠性。
在華為此前發布的存儲器相關文章 ——《華為麒麟帶你一圖看懂存儲器》中，華為表示隨著晶片尺寸的微縮，DRAM 製程微縮將越來越困難，「摩爾定律」走向極限，因此各大廠商在研究 3D DRAM 作為解決方案來延續 DRAM 的使用。
而在 IEDM 2021 上，中科院微電子所團隊聯合華為海思，提出了新型垂直環形溝道器件結構（CAA）。據悉，該結構減小了器件面積，支援多層堆疊。其通過將上下兩個 CAA 器件直接相連，每個存儲單元的尺寸可減小至 4F2。
