美光業界首發232層3D NAND快閃記憶體！計劃明年投產

• 2022 年 5 月 13 日
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近日，美光公司發布了業界首個具有232層的3D NAND快閃記憶體，並宣布該技術將會投入包括SSD在內的多種產品。

據悉，這種232層的3D NAND快閃記憶體採用3D TLC架構，原始容量為1Tb（128GB）；晶片基於美光的CuA架構，並使用NAND的字元串堆疊技術。

CuA架構的設計，配合232層的高堆疊，有效減少了1Tb 3D TLC NAND快閃記憶體的晶片尺寸，有望降低產品的生產成本，提升競爭力。

美光目前並未宣布232層3D TLC NAND IC的I/O速度或平面數量，但從透露的資訊來看，新的記憶體應該會提供更高的性能，這對採用PCIe 5.0介面的下一代SSD來說，無疑是一個好消息。

在具體的產品層面上，美光的技術和產品執行副總裁Scott DeBoer稱，公司目前已經與第三方NAND控制器開發者達成合作，從而實現對新型記憶體的支援。

此外，美光表示，預計將在2022年底開始生產232層3D TLC NAND快閃記憶體，按此計劃，採用這種新技術的SSD應該會在明年與用戶見面。