消息稱三星13nm記憶體研發失利：1nm之差花了兩年也搞不定
與邏輯製程一樣，記憶體晶片製程在進入20nm節點之後也陷入了難以製造的境地，三星作為全球記憶體一哥雖然走在了技術開發的前列，但是在新一代記憶體研發上也面臨困難，最新消息稱13nm製程的記憶體已經宣告失利。
簡單說下，記憶體製程在20nm節點之後就有不同斷代方法，之前用的是1x、1y、1z，後來又有了1a、1b、1c製程，不過三星、SK海力士及美光三大記憶體巨頭的實際製程也不完全是這樣，有時公布的還是數字+nm命名的，反正記憶體製程命名是有些混亂的。
總體來說，三星在DRAM製程上是最先進的，2020年率先研發成功1z製程記憶體，大概是15nm級別的，2021年又宣告研發成功1a製程記憶體，也就是14nm製程的，還首次使用了EUV光刻製程。
再往下就是1b製程了，大概是12-13nm級別，三星去年宣布成立專門的研發團隊攻克1b製程記憶體，然而最新消息稱三星已經中斷了研發，13nm級別的記憶體被間接承認失敗。
記憶體製程在14nm之後是否就此停滯？現在還不好說，三星也表示會對研究方向進行探討，我們現在能知道的就是14nm之後的研發會很難，哪怕突破1nm製程，2年時間都沒搞定。
