難怪蘋果M1 Ultra能實現性能翻倍 背後真相揭開
在當下的半導體行業中，Chiplet(芯粒)設計已經成為行業主流，推動Chiplet發展的AMD獲益良多。
蘋果在3月9日的發布會上推出自研的M1 Ultra晶片，通過UltraFusion架構將兩個M1 Max晶片拼在一起，使晶片的各項硬體指標翻倍，性能也得到大幅提升。
性能方面，蘋果M1 Ultra支援128GB高頻寬、低延遲的統一記憶體，內建20個CPU核心、64個GPU核心和32核神經網路引擎，每秒可提供高達22萬億次運算，其GPU性能是蘋果M1晶片的8倍，比最新的16核PC台式機高90%。
早在2021年10月的M1 Max中使用了UltraFusion技術，但直到M1 Ultra發布會上才正式公開。
UltraFusion架構使用硅中介層(Silicon Interposer)和微型凸塊(Micro-Bump)，將晶片連接訊號超過10000個，提供2.5TB/s超高處理器間頻寬和低延遲。
UltraFusion的互聯頻寬其他多晶片互連技術的4倍多，領先於由英特爾、AMD、ARM、台積電和三星等眾多行業巨頭組成的通用芯粒互連聯盟(UCIe)。
根據蘋果公司和台積電已發表的專利和論文，從2.5D/3D互連和技術層面解析UltraFusion封裝架構。
最近幾年，隨著摩爾定律的逐漸放緩，新的「摩爾定律2.0」開始被晶片廠商接受，摩爾定律2.0的核心，就是封裝技術，讓晶片封裝從傳統的2.5D升級到3D，這新技術包括了英特爾Foveros、台積電的3D晶圓鍵合(wafer-on-wafer)等。
從M1 Ultra發布的UltraFusion圖示可以看到，蘋果M1 Ultra應該是採用台積電基於第五代CoWoS Chiplet技術的互連架構。
Chip-on-Wafer-on-Substrate with Si interposer(CoWoS-S)是一種基於TSV的多晶片集成技術，廣泛應用於高性能計算(HPC)和人工智慧(AI)加速器領域。
隨著CoWoS技術的進步，可製造的中介層(Interposer)面積穩步增加，全掩模版尺寸及戶翻了一番，從大約830mm2提升至1700mm2，中介層面積的增加，會讓封裝後的晶片的面積加大。
台積電第5代CoWoS-S達到最多三個全光罩尺寸(大約2500mm2)的水平，通過雙路光刻拼接方法，讓硅中介層可容納1200mm2的多個邏輯芯粒和八個HBM(高頻寬記憶體)堆棧，芯粒與硅中介層的採用面對面(互連層與互連層對接)的連接方式。
在UltraFusion技術中，通過CoWo-S5的裸片縫合(Die Stitching)技術，可將4個掩模版拼接來擴大中介層的面積。
這種方法可讓4個掩模被同時曝光，並在單個晶片中生成四個縫合的「邊緣」。蘋果公司的專利還提到，UltraFusion技術的片間互連可以是單層金屬、也可以是多層金屬。
UltraFusion不僅是簡單的物理連接結構，封裝架構中還有6項特別優化過的技術。
第一項就是在UltraFusion晶片中，加入新的低RC(電容x電阻=傳輸延遲)金屬層，它能夠在毫米互連尺度上提供更好的片間訊號完整性。
與傳統的多晶片模組(MCM)等封裝解決方案相比，UltraFusion的中介層在邏輯芯粒之間或邏輯芯粒和存儲器堆棧之間提供密集且短的金屬互連。擁有片間完整性更好、能耗更低，同時還能以更高的頻率運行。
第二項就是互連功耗控制，UltraFusion使用可關閉的緩衝器(Buffuer)，進行互連緩衝器的功耗控制，有效降低暫停的互連線的能耗。
第三項是優化高縱橫比的硅通孔(TSV)，TSV是硅中介層技術中另一個非常關鍵部分。UltraFusion/CoWoS-S5通過使用重新設計的TSV，優化傳輸特性，以適合高速SerDes傳輸。
第四項集成在中介層的電容(iCAP)，UltraFusion在中介層集成深溝槽電容器(iCap)，提升晶片的電源完整性。集成在中介層的電容密度超過300nF/mm2，幫助各芯粒和訊號互連享有更穩定的供電。
第五項新的熱介面材料，UltraFusion通過集成在CoWoS-S5中，使用熱導率>20W/K的新型非凝膠型熱介面材料(TIM)，擁有100%的覆蓋率，提高各個高算力芯粒的散熱能力，提升整體散熱性能，降低積熱。
第六項通過Die-Stitching技術有效提升封裝良率降低成本，UltraFusion僅將KGD(Known Good Die)進行鍵合，避免傳統WoW(Wafer on Wafer)或CoW(Chip on Wafer)中失效的芯粒被封裝的問題，提升封裝後的良率，降低整體的平均成本。
編輯點評：蘋果的UltraFusion技術充分結合封裝互連技術、半導體製造和電路設計技術，為整合面積更大、性能更高的算力晶片提供巨大的想像空間。同時，M1 Ultra的成功，會讓傳統的晶片製造商，感受到更大的壓力。
作為未來半導體的發展方向，先進封裝技術在最近幾年已得到廣泛的應用，同時獲得大眾的認可。特別是越來越多廠商加入到自研晶片的大軍，如何提升Chiplet之間的互聯、再到與HBM或DDR記憶體之間的頻寬，也是延續摩爾定律的焦點。
