三星3nm工廠即將動工：全球首發GAA製程 功耗直降50%
三星的晶圓代工部門最近負面不斷，此前有消息稱部分員工涉嫌偽造和虛報5nm、4nm、3nm製程的良品率，以致於高通這樣的VIP客戶都要出走，重新使用台積電生產驍龍8處理器。
不過從技術上來說，三星現在依然是唯一能緊追台積電的晶圓代工廠，雖然在7nm、5nm及4nm節點上落後了一些，但在接下來的3nm節點三星更激進，要全球首發GAA電晶體製程，放棄FinFET電晶體技術，而台積電的3nm製程依然會基於FinFET製程。
三星之前表示，GAA是一種新型的環繞柵極電晶體，通過使用納米片設備製造出了MBCFET（Multi-Bridge-Channel FET，多橋–通道場效應管），該技術可以顯著增強電晶體性能，主要取代FinFET電晶體技術。
根據三星的說法，與7nm製造製程相比，3nm GAA技術的邏輯面積效率提高了45%以上，功耗降低了50%，性能提高了約35%，紙面參數上來說卻是要優於台積電3nm FinFET製程。
當然，這些還是紙面上的，三星的3nm製程挑戰也不少，光是量產就是個問題，之前三星宣傳2021年就量產，實際上並沒有，最快也是今年，而且首發的是3GAE低功耗製程，高性能的3GAP製程至少要2023年了。
據韓國媒體報道，三星已經準備在韓國平澤市的P3工廠開工建設3nm晶圓廠了，6、7月份動工，並及時導入設備。
按照這個進度，今年的3GAE製程應該也只會是小規模試產，大規模量產也要到明年了，跟台積電的3nm製程差不多，兩家都因為種種問題延期量產3nm製程了。
