西數發布BiCS5快閃記憶體技術：112層堆棧 1.33Tb世界最高密度QLC

• 2020 年 1 月 31 日
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西數公司今天正式宣布了新一代快閃記憶體技術BiCS5，這是西數與鎧俠（原來的東芝存儲）聯合開發的，在原有96層堆棧BiCS4基礎上做到了112層堆棧，有TLC及QLC快閃記憶體兩種類型，最高核心密度1.33Tb，是目前存儲密度最高的產品。

西數存儲晶片技術和製造高級副總裁Steve Paak博士表示，在進入下一個十年的時候，一種新型的3D快閃記憶體對持續滿足不斷增長的數據容量及速率的需求至關重要，而BiCS5的成功研發體現了西數在快閃記憶體技術上的領導地位及路線圖的強大執行力。

BiCS5快閃記憶體是西數目前最先進、密度最高的3D NAND快閃記憶體，通過採用第二代多層存儲孔、改進製程及其他3D NANDg功能等手段顯著提升了存儲晶片的橫向存儲密度，再加上112層縱向堆棧，使得BiCS5與之前96層堆棧的BiCS4快閃記憶體技術有了明顯提升，存儲容量提升40%，IO性能提升了50%，同時優化了成本。

西數BiCS5快閃記憶體主要有TLC及QLC快閃記憶體兩種類型，初期會以512Gb核心的TLC開始量產，後續會提供更多容量選擇，包括最高密度的1.33Tb QLC快閃記憶體，預計2020年下半年開始商業化量產，主要生產工廠是日本三重縣四日市及岩手縣北上市的晶圓廠。