消息稱國產17nm製程記憶體晶片良率已達40% Q2首發供應DDR4
經過幾年的追趕,國產DRAM記憶體晶片由合肥長鑫在2019年量產,首發的是19nm製程,今年合肥長鑫就要推出下一代的17nm製程記憶體晶片了,不過首發產品不是傳聞中的DDR5,而是DDR4。
來自大摩的分析稱,合肥長鑫的17nm製程DRAM晶片良率已經達到了40%,預計Q2季度就會給客戶供應產品,其成本相比台系廠商的20nm、25nm製程記憶體更有優勢。
至於生產方面,大摩稱合肥長鑫的產能今年會增加到8萬片晶圓/月,並在北京新建工廠,量產17nm製程記憶體晶片。
此前的報道中,長鑫還會研發7nm及以下製程的DDR5、LPDDR5等記憶體,再下一代的10G5製程中,除了DDR5、LPDDR5之外還有GDDR6顯示記憶體。
此外,長鑫在2020年、2021年分別實現了4.5萬片晶圓/月、6萬片晶圓/月的目標,2022年的產能目標是12萬片晶圓/月,未來的產能目標是30萬片晶圓/月。