14nm打造!三星DDR5 DRAM量產:速度翻倍

10月12日消息,今日,三星官方宣布已開始量產基於極紫外光(EUV)技術的14nm DRAM。

三星表示,繼去年3月推出首款EUV DRAM後,又將EUV層數增加至5層,為DDR5解決方案提供當下更為優質、先進的DRAM製程。

根據最新DDR5標準,三星的14nm DRAM速度高達7.2Gbps,比DDR4的3.2Gbps快兩倍多。

三星指出,隨著DRAM製程不斷縮小至10nm範圍,EUV技術能夠提升圖案準確性,從而獲得更高性能和更大產量,因此該項技術變得越來越重要。

據介紹,通過在14nmDRAM中應用5個EUV層,三星實現了自身最高的單位容量,同時,整體晶圓生產率提升了約20%,與前代DRAM製程相比,14nm製程可幫助降低近20%的功耗。

值得一提的是,三星還計劃擴展其14nm DDR5產品組合,以支援數據中心、超級電腦與企業伺服器的應用。

同時,三星預計將14nm DRAM晶片容量提升至24GB,以搞好滿足全球IT系統快速增長的數據需求。

三星電子高級副總裁兼DRAM產品與技術負責人Jooyoung Lee 表示,「通過開拓關鍵的圖案技術,三星活躍全球DRAM市場近三十年」。

他強調,如今,三星正在通過多層EUV建立起另一個技術的里程碑,該技術實現了14nm的極致化,這也是傳統氟化氬 (ArF) 製程無法實現的。

在此基礎上,三星將繼續為5G、AI和元宇宙中需要更高性能和更大容量的數據驅動計算,提供最具差異化的記憶體解決方案。

速度高達7.2Gbps!三星宣布14nm EUV DDR5 DRAM量產

速度高達7.2Gbps!三星宣布14nm EUV DDR5 DRAM量產

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