1萬億次寫入壽命傳三星1Gb eMRAM記憶體良率已達90%

今年3月份，三星宣布全球第一家商業化規模量產eMRAM(嵌入式磁阻記憶體)，基於28nm FD-SOI(全耗盡型絕緣層上硅)成熟製程，記憶體容量8Mb，可廣泛應用於MCU微控制器、IoT物聯網、AI人工智慧領域。

MRAM是一種非易失性存儲，其前景被廣泛看好，Intel、IBM、TDK、三星、Seagate等行業巨頭多年來一直都在研究，讀寫速度可以媲美SRAM、DRAM等傳統記憶體，當同時又是非易失性的，也就是可以斷電保存數據，綜合了傳統記憶體、快閃記憶體的有點。

三星量產的eMRAM記憶體是基於磁阻的存儲，擴展性非常好，在非易失性、隨機訪問、壽命耐久性等方面也遠勝傳統RAM。由於不需要在寫入數據前進行擦除循環，eMRAM的寫入速度可以達到eFlash的大約一千倍，而且電壓、功耗低得多，待機狀態下完全不會耗電，因此能效極高。

在8Mb eMRAM記憶體之後，三星最近已經開始生產1Gb容量的eMRAM記憶體，依然使用了28nm FD-SOI製程，最新良率已經達到了90%，使得eMRAM記憶體實用性大大提升。

儘管1Gb的容量、性能依然遠不如現在的記憶體及快閃記憶體，但是eMRAM記憶體超強的壽命、可靠性是其他產品不具備的，這款eMRAM記憶體在105°C高溫下依然能夠擦寫1億次，85°C高溫下壽命高達100億次。

如果不是那麼苛刻的溫度環境，而是日常使用環境，那麼eMRAM記憶體的擦寫次數高達1萬億次，已經沒可能寫死了。