7nm卡脖子技術又一突破開始生產了

7月2日消息，中國半導體材料廠商南大光電在互動平台上表示，公司旗下的ArF光刻膠產品拿到小批量訂單，不過他們沒有透露具體的客戶名單。

今年5月份，南大光電發表公告，控股子公司寧波南大光電自主研發的ArF光刻膠繼2020年12月在一家存儲晶片製造企業的50nm快閃記憶體平台上通過認證後，近日又在邏輯晶片製造企業55nm技術節點的產品上取得了認證突破，表明公司光刻膠產品已具備55nm平台後段金屬布線層的製程要求。

在光刻製程中，光刻膠被均勻塗布在襯底上，經過曝光(改變光刻膠溶解度)、顯影(利用顯影液溶解改性後光刻膠的可溶部分)與刻蝕等製程，將掩膜版上的圖形轉移到襯底上，形成與掩膜版完全對應的幾何圖形。

半導體市場上主要使用的光刻膠包括g線、i線、KrF、ArF四類光刻膠，其中，g線和i線光刻膠是市場上使用量最大的。KrF和ArF光刻膠核心技術基本被日本和美國企業所壟斷。

此前南大光電曾在公告中表示，ArF光刻膠涵蓋的製程技術很廣，可用於90nm-14nm甚至7nm 技術節點製造製程，廣泛應用於高端晶片製造（如邏輯晶片、存儲晶片、AI 晶片、5G 晶片和雲計算晶片等）。