重磅！三星3nm製程邁出關鍵一步
全球目前量產的 最先進製程是5nm，台積電明年就要量產3nm製程，不過3nm節點他們依然選擇FinFET電晶體技術，三星則選擇了GAA技術，日前三星也成功流片了3nm GAA晶片，邁出了關鍵一步。
在3nm節點，三星比較激進，直接選擇了下一代製程技術——GAA環繞柵極電晶體，通過使用納米片設備製造出了MBCFET（Multi-Bridge-Channel FET，多橋–通道場效應管），該技術可以顯著增強電晶體性能，主要取代FinFET電晶體技術。
根據三星的說法，與5nm製造製程相比，3nm GAA技術的邏輯面積效率提高了35%以上，功耗降低了50%，性能提高了約30%。
三星早在2019年就公布了3nm GAA製程的PDK物理設計套件標準，這次3nm晶片流片是跟Synopsys合作完成的，雙方聯合驗證了該製程的設計、生產流程，是3nm GAA製程的里程碑。
不過三星、Synopsys並沒有透露這次驗證的3nm GAA晶片的詳情，官方只說GAA架構改進了靜電特性，提高了性能，降低了功耗。
3nm GAA製程流片意味著該製程量產又近了一步，不過最終的進度依然不好說，三星最早說在2021年就能量產，後來推遲到2022年，但是從現在的情況來看，明年台積電3nm製程量產時，三星的3nm恐怕還沒準備好，依然要晚一些。
