今年我們就有自己的28nm光刻機？很殘酷
眾所周知，目前中國在晶片製造領域仍處於落後地位。雖然中芯國際等少數晶圓代工廠已經能夠量產28/14nm製程，但是其製造產線上的半導體設備仍嚴重依賴於美國。
去年5月，華為在被美國升級制裁之後，台積電、中芯國際等晶圓代工廠無法繼續利用美國半導體設備及技術為華為海思代工晶片，使得華為自研的海思晶片出現了斷供。
與此同時，中芯國際在去年年底也被美國列入了實體清單，所需的半導體設備進口受阻，這也嚴重阻礙了其先進位程製程的發展。
在此背景之下，國產半導體設備的發展急需加速。
對於半導體製造產線來說，光刻機是晶片製造最為核心的關鍵設備之一。而目前在光刻機領域，主要被荷蘭ASML、日本Canon 和Nikon 所壟斷，三家廠商合計佔據了約99%的市場份額。
其中 ASML 在高端光刻機市場一家獨大，並且是目前唯一一家能夠供應EUV光刻機的廠商。
目前產線中光刻機主要依賴於進口，以中國長江存儲截至2020年2月的半導體設備採購招標結果為例，其光刻機全部來自於ASML 和Canon 。其中 Arf 光刻機全部由 ASML供應，Canon 主要供應技術難度相對較低的 g線、i 線光刻機及少部分KrF光刻機。
雖然，國產光刻機廠商——上海微電子裝備股份有限公司（以下簡稱「上海微電子」，SMEE）此前已經量產了自主研發的光刻機，但是其在技術上與國外還存在較大差距。
根據上海微電子官網資料顯示，目前其已量產的光刻機主要有 SSX600 和 SSX500 兩個系列。
其中，SSX600 系列步進掃描投影光刻機採用四倍縮小倍率的投影物鏡、製程自適應調焦調平技術，以及高速高精的自減振六自由度工件台掩模台技術，可滿足 IC 前道製造 90nm、110nm、280nm 關鍵層和非關鍵層的光刻製程需求，該設備可用於 8吋線或 12 吋線的大規模工業生產。
SSB500 系列步進投影光刻機不僅適用於晶圓級封裝的重新布線（RDL）以及 Flip Chip 製程中常用的金凸塊、焊料凸塊、銅柱等先進封裝光刻製程，還可以通過選配背面對準模組，滿足 MEMS 和 2.5D/3D 封裝的 TSV 光刻製程需求。
△上海微電子可用於90nm晶片製造的光刻機
也就是說，上海微電子目前最先進的光刻機所能製造最先進的晶片製程只能到90nm，而目前ASML最先進的EUV光刻機已可以被應用於3nm的晶片製造。
在去年4月，根據某地方政府透露的資訊顯示，2020年年底，國產光刻機光源供應商將與整機單位共同完成28nm國產光刻機的集成工作。
注意：這裡說的「28nm光刻機」並不是準確說法，雖然網上很多人這麼叫，其實際指的是可以被用於28nm晶片製造的光刻機，但準確說法應該是193nm ArF浸潤式光刻機，多次曝光甚至可以支援7nm晶片製造。
但是，由於美國對中國半導體產業制裁的加碼，國產28nm光刻機量產進程似乎是遇到了一些阻力導致了推遲。
根據國外媒體（//www.verdict.co.uk/）最新的報道稱，「中國國產28nm DUV光刻機計劃在今年年底前從上海微電子（SMEE）生產出來，並在上海專有的生產線上為物聯網設備製造48nm和28nm晶片。」
另外預計在2023年，SMEE 20nm光刻技術將首先部署用於製造5G設備晶片。
該報道還稱，上海微電子管理層最近表示，「提高 48nm 和 28nm 的良率仍然是一個挑戰，但 SMEE 技術現在擁有基本的本土 UV 能力，無需美國 IP 來製造晶片。」
搜索該網站關於SMEE的歷史資訊，可以看到，早在去年10月，verdict就曾報道稱，「中國首台國產28nm光刻機預計2021年底前交付」，但是verdict並未說明具體的資訊來源。
此前的資料顯示，該光刻機的光源雷射系統、浸沒式雙工作台、浸液系統、透鏡及曝光系統都已實現了國產化（由不中國相關供應商提供），上海微電子則負責控制系統和總裝。
不過對於「上海微電子到底能不能做出28nm能力的DUV光刻機」這個問題，外界看法不一。
此前知乎上就有人提了這個問題，有不少網友給出了不同意見。
知乎網友@andyfan 表示：「上海微電子做肯定做的出，之前交付了可以做90nm製程的光刻機，只是單工台，過貨能力只有每小時75片。28nm光刻機，光源與90nm光刻機是一樣的，但是40nm開始就需要immersion了，也就是液浸潤。但不是說你搞一台出來，廠家就能馬上用；機台和製程的磨合，再加上反覆提升改進，這時間要比一般人想的長的多。」
不過WP7貼吧用戶@jinshandage 表示，之前有內部前員工爆料，由於內部管理問題，上微老的骨幹基本走光。新來的研發人員工資極低，很多在那邊也混2年經驗就走。10年研發費用不足6億，基本沒有老員工。本身就一個國資企業，那些廠買他家的低端光刻機就是指標，都不用的。他們家的28nm光刻機今年交付的消息看看就好，當不了真。估計今明兩年28nm的都出不來光刻機突破的話，還是要看中科院以及一些其他科研機構，其次看這些科研企業，但是上海微電子本身是沒啥指望了。
一位自稱在十幾年前讀博士時就有做02專項的網友稱：「28nm跟90nm光刻設備之間的區別很多，四大子系統都不一樣。光源功率變大，光學系統數值孔徑變大，增加浸沒單元，運動平台速度更快。目前運動平台做得比較好，其他的最多到樣機狀態，整機更沒有了，差得還挺遠。十幾年前我做02專項，那個時候投入是不足的。到如今，只能說資金投入早已經跟上，現在無論上海微電子還是各子系統企業都不缺錢，甚至已經不敢再拿錢了。很多專項投入資金，根本就沒有動過。設備研發迭代跟FAB廠做製程試錯還是有區別的。一個人拍兩個月腦袋就可以搞五六代樣機去試錯，但其實連積累數據的意義都沒有。有些關鍵點搞不清楚，試錯就是浪費時間。」
另外值得注意的是，自去年華為被美國實施第二輪制裁，使得華為自研晶片無法製造之後，業內就一直有傳聞稱華為在自建半導體產線，並已開始研發半導體產線所必須的關鍵設備——光刻機。
此前曝光的招聘資訊也顯示，華為正在招募光刻機研發人才。本月初，華為旗下的哈勃投資入股了中國高端準分子雷射技術廠商科益虹源，似乎也正是為了加碼布局光刻機領域的研發。
