ASML的EUV光刻機更強了
日前在韓國的一場半導體交流活動中，ASML韓國營銷經歷MyoungKuy Lee透露，公司將開始供應透光率超90%的薄膜，以提升EUV光刻機的效率。
據悉，這款薄膜是ASML與Teradyne（泰瑞達）聯合研發，日本三井化學代工，已經通過了400瓦測試。
ASML 2016年首次開發出光罩薄膜，當時的透光率是78%。隨後在2018年，薄膜透光率提升到80%，去年提升到85%。
薄膜用於保護光罩免受污染，單價2.6萬美元左右（約合人民幣16.78萬元）。
另外，韓國企業FST、S&S Tech也都在緊張開發EUV光刻機所需的薄膜，FST此前預期上半年開始供應90%透光率的碳化硅薄膜。
