中芯國際續單ASML光刻機後 國產光刻膠迎重大進展
繼中芯國際續單ASML光刻機後，國產半導體光刻膠領域再迎喜訊。
周一（8日）盤後，上海新陽公告稱，經各方積極協商、運作，ASML-1400光刻機設備於今日已進入合作方北方積體電路技術創新中心（北京）有限公司場地，後續將進行安裝調試等相關工作。公司採購的ASML干法光刻機設備順利交付，對加快193nm ArF干法光刻膠產品開發進度有積極影響。
值得一提的是，天眼查顯示，合作方北方積體電路技術創新中心（北京）有限公司大股東為芯鏈融創積體電路產業發展（北京）有限公司，後者由北京凱世通半導體有限公司在內的26個中國半導體優質公司共同出資組建。中芯國際、北京亦庄則佔比各為25%並列為第二大股東。
立項4年屢遭挫折 國產替代浪潮下終現曙光
對於上海新陽本身來說，ASML干法光刻機設備順利交付意義非凡。公開資料顯示，早在2016年底，上海新陽即已立項研發193納米干法光刻膠，但在隨後的研發過程中進展屢遭挫折。
2018年3月，上海新陽和上海逸納共同出資設立芯刻微，從事193nm干法高端光刻膠產品的研究與產業化工作，但雙方於次年5月終止合作；同年12月，公司以自有資金投資江蘇博硯電子科技有限公司，持有博硯電子公司10%的股權，後者主要從事平板顯示產業用相關光刻膠產品的開發、生產。
2019年10月，上海新陽啟動合肥第二生產基地項目的建設。合肥基地佔地115畝，總投資約6億元。按照部署，一期計劃投資3億元，佔地50畝，達產後形成年產15000噸超純化學材料產品的生產能力。根據公司在定增公告中所說，此次定增擬將部分資金投資於該項目。
進入2020年，上海新陽在該項目上的投入越發激進。8月，公司公告擬定增募資不超15億元，其中7.32億元用於積體電路製造用高端光刻膠研發、產業化項目。主要開發ArF干法製程使用的光刻膠和面向3D NAND台階刻蝕的KrF厚膜光刻膠產品，力爭於2023年前實現上述產品的產業化。
11月，公司再次公告擬向特定對象發行股票募集資金總額不超過14.5億元，其中8.15億元再投上述項目。若項目按計划進度進行，預計KrF厚膜光刻膠2021年開始實現少量銷售，2022年可實現量產，預計ArF（乾式）光刻膠項目在2022年可實現少量銷售，2023年開始量產，預計當年各項產品銷售收入合計可達近2億元。
東吳證券分析師柴沁虎去年3月16日報告曾指出，上海新陽一直致力於進行半導體用光刻膠的產業化，雖然中間走過一段彎路，但參股博硯電子後，可以有效借鑒博硯電子的成功經驗。同時，公司和博硯電子也有一定程度的產業協同，認為公司是中國最有可能率先在積體電路製造用高端光刻膠取得實質性突破的企業。
阿斯麥關鍵設備「鬆綁」 國產高端光刻膠持續突破
去年以來，國產替代浪潮席捲半導體行業，而光刻膠作為半導體光刻製程的核心材料，決定了半導體圖形製程的精密程度和良率，成為了其中最受矚目的環節之一。
2020年12月17日，南大光電公告稱，控股子公司寧波南大光電自主研發的193nm ArF光刻膠產品成功通過客戶的使用認證，標誌中國第一支通過產品驗證的國產ArF光刻膠就此誕生，意味著長期被國外壟斷的ArF光刻膠終於邁出了國產化的第一步。
據了解，按不同製程，半導體用光刻膠可分為EUV光刻膠、ArF光刻膠、KrF光刻膠及G線、i線光刻膠，前三者均為高端光刻膠產品，產業資訊網數據顯示，截至2019年中國在g線/i線光刻膠僅達到20%自給率，而KrF光刻膠自給率不足5%，ArF光刻膠則完全依賴進口。
高端光刻膠國產替代艱難的背後，是其研發過程中對高端光刻機的嚴重依賴。由於在研發光刻膠的過程中需要有對應光刻機的支援，規模量產後需要在光刻機上不斷調試。而先進光刻機價格昂貴，中國半導體材料公司難以承受，因而高端光刻膠基本被日本及歐美壟斷。
就在本月3日，中芯國際公告稱，與荷蘭光刻機製造商阿斯麥簽訂購買單，金額達12.02億美元。另據《科創板日報》1日獨家獲悉，為中芯國際提供高製程（14nm及以上）製程部分產品所需設備的美國設備商，已獲美許可證。
對此，華金證券胡慧團隊3月7日報告認為，中芯國際14nm及以上成熟製程禁令「鬆綁」，代表著中國大陸晶圓代工龍頭在成熟製程上的發展前景進一步明朗，預期未來將有更多美國設備供應商獲得供應許可。
中金公司彭虎團隊同日報告也指出，半導體設備和材料是高端製造業發展的基礎，結合中芯國際潛在成熟製程獲取美國設備許可證，建議關註上游設備及原材料的機會。
另據華泰證券胡劍團隊2020年11月18日報告，在半導體供應鏈安全逐漸得到重視的背景下，國產光刻膠研發和量產或將提速，中國廠商紛紛計劃在被日美壟斷的半導體光刻膠領域擴大投入，並在高端ArF光刻膠領域研發和量產持續突破。
