日本研發2nm晶片製程：最快3年實用

目前量產的最先進製程是台積電、三星的5nm，明年有望量產3nm製程，再往後的2nm製程需要全新的技術，製造難度更高，是大國爭搶的制高點之一。

在先進製程上，目前台積電、三星及Intel等幾家實力強大，日本公司主要是在光刻膠、矽片等材料有較大優勢，但日本也沒有放棄先進製程上的努力。

據日本媒體報道，日本產業技術綜合研究所與中國台灣半導體研究中心（TSRI）等展開合作，開發了用於新一代半導體的新型電晶體結構。

相比其他技術，該技術將硅（Si）和鍺（Ge）等不同溝道材料從上下方堆疊、使「n型」和「p型」場效應電晶體靠近的名為「CFET」的結構。

報道稱，與此前的電晶體相比，CFET結構的電晶體性能高、面積小，有助於製造2nm以下線寬的新一代半導體。

據悉，這一研究成果發表於2020年12月在線上舉行的半導體相關國際會議「IEDM2020」。該項新技術有望在今後約3年裡對民營企業進行轉讓，正式開始商用。