華為首次公開！解決晶片製造一大痛點
企查查APP顯示，近日，華為技術有限公司公開一種「晶片及其製備方法、電子設備」專利，用於解決裸晶片上出現裂紋，導致裸晶片失效的問題。
該專利公開號CN112309991A，申請日2019年7月26日，公開日2021年2月2日。
華為在專利說明書中表示，電子系統中的核心部件則為裸晶片，裸晶片結構的穩定性決定了電子系統的穩定性。
然而，在現有技術中，製備裸晶片，或對裸晶片進行封裝時，因受熱或受壓後容易出現裸晶片中膜層與膜層之間開裂，或者膜層斷裂，導致裸晶片失效的問題。
本申請實施例提供一種晶片及其製備方法、電子設備，用於解決裸晶片上出現裂紋，導致裸晶片失效的問題。
晶片，包括功能區和位於功能區外圍的非功能區，晶片包括：半導體基底；多層介電層，設置於半導體基底上，且介 電層的一部分位於非功能區；至少一個第一加強件，位於非功能區；第一加強件嵌入至少兩層介 電層，且第一加強件與其嵌入的介電層相連接。
