中國第三代半導體將全面爆發：去美化、國產替代！

隨著5G、新能源車的快速發展，中國第三代半導體也正面全面爆發。

據第三代半導體產業技術創新戰略聯盟理事長吳玲透露，雙循環模式推動國產化替代，2020年中國SiC（碳化硅）、GaN（氮化鎵）電力電子和微波射頻產值預計將約為70億元。

市場規模擴大，5G加速推進GaN射頻應用迅猛增長，2020年中國GaN射頻器件市場規模約170億元；新能源汽車及消費電子成為突破口，2020年中國電力電子器件應用市場規模58.2億元。

吳玲建議，探索構建第三代半導體產業創新生態，摸索「平台+孵化器+基金+基地」以及大中小企業融通發展的新模式，加強精準的國際與區域深度合作，共同努力使全鏈條進入世界先進行列。

需要注意的是，氮化鎵的應用範圍不只在快充、智慧手機等消費類電子領域，還有數據中心、柔性供電等工業領域，以及自動駕駛、車載充電機等汽車領域。如，低壓氮化鎵可應用於新一代大數據中心，以減少佔地、提高功率、降低能耗。

第三代半導體另一個重要產品碳化硅，則將受益於電動汽車行業的快速成長而迎來爆發機會。