FinFET壽終正寢!台積電2nm GAA製程研發進度超前:落後三星一代

當前,最先進的晶片已經採用了5nm製程(蘋果A14),這在另一方面也意味著,晶圓代工廠商們需要更加馬不停蹄地推進位程技術的迭代。

來自Digitimes的最新報道稱,台積電2nm GAA製程研發進度提前,目前已經結束了路徑探索階段。

GAA即環繞柵極電晶體,旨在取代走到盡頭的FinFET(鰭式場效應電晶體)。FinFET由華人科學家胡正明團隊研製,首發於45nm,目前已經推進到5nm。

不過,據說台積電的3nm依然延續FinFET,但三星則會提前於3nm導入GAA技術。

FinFET壽終正寢!台積電2nm GAA製程研發進度超前:仍落後三星一代

基於全新的GAA電晶體結構,三星通過使用納米片設備製造出了MBCFET(Multi-Bridge-Channel FET,多橋-通道場效應管),與現在的7nm製程相比,3nm製程可將核心面積減少45%,功耗降低50%,性能提升35%。

當然,落後其實並不可怕,最主要看進度。三星7nm也是想「一口吃個胖子」,直接導入EUV極紫外光刻,結果起個大早趕個晚集,被台積電用7nm DUV搶先,自己實際並未攬獲多少有價值的訂單。

FinFET壽終正寢!台積電2nm GAA製程研發進度超前:仍落後三星一代