半導體器件
半導體筆記
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肖特基勢壘和歐姆接觸
肖特基勢壘：當兩種材料接觸時，由於兩種材料的費米能級位置不同，接觸後必須兩側的費米能級一致，接觸面的真空能級相同。載流子擴散流動必須使接觸面兩側的費米能級相等才能達到平衡狀態。所以接觸後半導體的能帶因內建電場而彎曲，這樣接觸面形成了電子的勢壘，稱為肖特基勢壘，形成整流節。肖特基二極體（整流接觸）就是利用這原理工作。
解決方法：金屬與半導體接觸面出現肖特基勢壘，但是我們不希望出現該勢壘。理論上有兩種方式：1.降低勢壘高度，這樣載流子不需要很高的能量即可越過勢壘。2. 減少勢壘寬度，使載流子以隧穿的方式穿過。
肖特基勢壘
2. 歐姆接觸
**歐姆接觸 **：接觸電阻很小。具有線性的和對稱的電流-電壓關係
製作方法：用__重摻雜的半導體__與金屬接觸。
