三星取消中間製程4nm：5nm後直接上馬3nm GAAFET
GF（格芯）退出7nm研發後，金字塔尖的先進位程製程爭奪主要圍繞台積電、Intel、三星開展。
最新消息稱，三星已經重修了製程路線圖，取消了此前用於過渡的4nm，在5nm為FinFET（鰭式場效應電晶體）後，直接上馬3nm GAAFET(環繞柵極電晶體)。
三星的4nm原定於2021年量產，可其真實身份無非5nm改良。對於三星取消的原因，一方面是3nm推進順利，另一方面則是市場競爭需要，如果能搶在台積電之前搞定技術難度更高的3nm GAAFET，無疑將為自己爭得可觀的機會。
三星如今的掌門人李在鎔非常看重晶片代工業務，這一切或也得到了他的授意。
此前，三星曾透露，3nm晶片相較於7nm FinFET，可以減少50%的能耗，增加30%的性能。
至於台積電的3nm，據說第一代還是FinFET，總投資高達500億美元，風險試產也推遲到了今年10月。
