中芯國際披露第二代14nm:性能提升20%、功耗降低60%
2019年,中芯國際量產了中國最先進的14nm製程,並已為華為麒麟710A處理器等進行代工。目前,中芯國際正在回歸A股上市,計劃募資200億元,主要就是投入14nm等先進製程的開發。
6月7日晚間,中芯國際在上交所公布了對第一輪審核問詢函的回復,僅用4天,創造了一個新紀錄,而在六大類、29個問題中,最引人關注的當屬對於新製程細節的披露。
中芯國際表示,14nm晶圓代工產能正處於初期布局階段,因此全球份額相對較低,不過第一代14nm FinFET技術已進入量產階段,而且技術上處於國際領先水平,且具有一定的性價比,目前已同眾多客戶開展合作,預測產能利用率可以穩定保持在較高水平。
中芯國際透露,利用其先進FinFET技術在晶圓上所製成的晶片,已應用於智慧手機領域。雖未進一步明確,但顯然指的就是華為麒麟710A。
在下一代技術節點的開發上,全球純晶圓代工廠僅剩台積電、中芯國際兩家,第二代FinFET技術目前已進入客戶導入階段,與第一代對比有望在性能上提高約20% ,功耗降低約60%。
中芯國際表示,14nm及以下先進製程主要應用於5G 、人工智慧、智慧駕駛、高速運算等新興領域,未來發展前景廣闊,而隨著相關應用領域持續發展,先進製程的市場需求將持續上升,市場份額將不斷擴大,成為積體電路晶圓代工市場新的增長點。
根據招股書披露,中芯國際本次計劃發行不超過16.86億股新股,預計募資200億元人民幣,計劃分別投入中芯南方正在進行的12英寸晶片SN1項目(80億元)、先進及成熟製程研發項目儲備資金(40億元)、補充流動資金(80億元)。
其中,12英寸晶片SN1項目是中國大陸第一條14nm及以下先進製程生產線,規劃月產能為3.5萬片晶圓,目前已建成月產能6000片。
本次問詢中,中芯國際又對募集資金投資項目的風險進行了補充披露:12英寸晶片SN1項目的總投資額為90.59億元美元,其中生產設備購置及安裝費達733016萬美元。
SN1項目達產後將會貢獻額外的先進位程收入,但同時帶來較高的折舊成本壓力。 隨著14納米及下一代製程的產線投產、擴產, 公司一定時期內會面臨較大的折舊壓力,該部分業務毛利率可能會低於公司平均水平,存在經濟效益不達預期,甚至產生較大額度虧損的風險。
此外,中芯國際還對研發費用率遠高於同行的原因及合理性進行了說明。數據顯示,2019年台積電、中芯國際、聯華電子、華虹半導體的研發費用分別為211億元、47億元、27億元、4億元,相應占營收比重分別為9%、22%、8%、7%。
中芯國際表示,為加強在先進位程方面的技術實力,公司不斷加大先進位程的研發投入,相繼實現了28nm HKC+製程、第一代 14nm FinFET製程的研發和量產,第二代14nm FinFET製程的研發也在穩健進行中,並不斷拓展成熟製程應用平台,因此公司研發費用率高於可比上市公司。