摩爾定律延壽數十年 FinFET電晶體發明人胡正明獲IEEE榮譽獎章
日前IEEE電子電器工程師協會宣布，FinFET電晶體發明人胡正明（Chenming Hu）獲得了2020年的IEEE 榮譽獎章，這是IEEE協會的最高獎勵，這一技術使得摩爾定律延壽了數十年。
自從1965年，Intel聯合創始人戈登·摩爾提出「摩爾定律」以來，半導體製程一直按照這個規律發展，2年提升一倍的電晶體密度。
不過摩爾定律原本應該終結了，因為按照之類的發展，傳統硅基半導體製程製造難度越來越大，特別是在28nm製程之後。
胡正明教授在這個問題上貢獻很大，他於1999年發明了FinFET電晶體，也叫鰭式電晶體或者3D電晶體，就是因為電晶體的形狀與魚鰭的相似性。
FinFET電晶體的設計可以改善電路控制並減少漏電流，縮短電晶體的閘長，FinFET閘長已可小於25nm，未來預期可以進一步縮小至9nm，約是人類頭髮寬度的1萬分之1。
Intel在2012年正式量產了3D電晶體技術，首發的是22nm製程，當時台積電、三星還停留在28nm製程上，之後在16/14nm節點上他們才進入了FinFET電晶體時代。
從這一點上來說，胡正明教授發明的FinFET技術不僅拯救了摩爾定律，Intel、AMD、NVIDIA、蘋果、華為、高通、三星等半導體行業的公司都受益於胡正明教授的發明。
