我國成功研製全球最低功耗相變存儲器：比主流產品低一千倍
1月20日，從華中科技大學集成電路學院獲悉，該學院團隊研製出全世界功耗最低的相變存儲器，比主流產品功耗低了一千倍。
據了解，在新型存儲器中，相變存儲器（PCM）是與CMOS工藝最兼容，技術最成熟的存儲技術。
2015年，Intel和Micron推出了傲騰三維相變存儲芯片，速度和壽命比固態閃存硬盤要快一千倍，其三維堆疊技術也使容量高出了十倍。
然而，由於在相變過程中需要將存儲介質熔化冷卻，導致相變存儲器的功耗極高且發熱嚴重，限制了存儲容量的進一步提高，也大大增加了其製造成本。
因此，降低相變存儲器的功耗將便於進一步提升存儲器數據密度，提高其在半導體存儲市場核心競爭力，此外降低功耗可以改善存儲器散熱問題，減少相鄰單元間的熱串擾，從而提高器件穩定性和整體性能。
目前最先進的幾十納米製程的單個相變存儲單元擦寫功耗達到了40pJ左右，而實驗室製備的百納米大小的器件功耗達到1000pJ以上。
為了解決相變存儲器中高功耗的瓶頸問題，華中科技大學集成電路學院信息存儲材料及器件研究所（ISMD）聯合西安交通大學材料創新設計中心（CAID）研發了一種網狀非晶結構的相變存儲器，功耗達到了0.05pJ以下，比主流產品功耗低了一千倍。
除了低功耗以外，該相變存儲器擁有一致性好且壽命長的優點。
