華為國內首個芯片廠房封頂：研發到製造完全自主
12月2日下午消息，根據中建八局官方公布的信息顯示，由中建八局打造華為國內首個芯片廠房——武漢華為光工廠項目（二期）FAB2主廠房已於11月30日順利完成主體結構封頂。
華為技術有限公司華為武漢光工廠項目經理徐雷，中工武大誠信工程顧問（湖北）有限公司副總經理丁川，中建八局一公司華中公司副總經理張碩，湖北分公司副經理石秀映及項目全體管理人員參加封頂儀式。
根據中建八局官網信息顯示，武漢華為光工廠項目位於武漢光谷中心，總建築面積20.89萬平方米，建設內容包括FAB生產廠房、CUB動力站、PMD軟件工廠及其他配套設施，是華為在中部地區最大的研發基地，重點聚焦光能力中心、智能終端研發中心等前沿科技。
項目建成後，將作為華為國內首個芯片廠房投入生產（主要是為華為生產其自研光通信芯片及模組），助力華為構建萬物互聯的智能世界，真正實現芯片從設計到製造、封裝測試以及投向消費市場的完整產業鏈。
而根據華為在此前在其募集說明書透露的信息顯示。截至2019年6月底，華為披露的在建工程達5項，包括貴安華為雲數據中心項目、華為崗頭人才公寓項目、蘇州研發項目、華為松山湖終端項目二期和松山湖華為培訓學院，擬建項目則有上海青浦研發、武漢海思工廠項目（即武漢華為光工廠項目），總投資分別為109.85億元和18億元。
圖片來源：華為2019年度第一期中期票據募集說明書
隨着全球網絡傳輸流量的爆髮式增長，目前光通信模塊已經成為了現代高速互聯網的基石。而光通信芯片則是光通信模塊的核心器件，其在中高端光模塊成本中佔比超過一半，而且隨着光模塊的傳輸速率上升，光芯片在光模塊成本中的佔比也會跟着上升。
嚴格意義上來說，光芯片包含多個元器件種類，如激光器芯片、調製器芯片、耦合器芯片、分束器芯片、波分復用器芯片、探測器芯片等。這些芯片/器件集成後，再加入外圍電路形成一個光通信模塊，被廣泛應用於路由器、基站、傳輸系統、接入網等光網絡建設中。
作為全球通信設備市場的領軍企業，華為很早就開始布局光通信領域的核心器件——光芯片。早在2012，華為就收購了英國光子集成公司CIP。隨後在2013年，華為又收購了比利時硅光技術開發商Caliopa公司。通過這兩項收購，華為正式進入了光通信芯片市場。截至目前，華為對光通信芯片的投入達六年之久，且已能實現部分產品自給自足。在光芯片(包括25G EML)、調製器、硅光(SiP)、DSP等許多領域有自產能力，並且還掌握了目前全球領先的800G光芯片技術。
在2019年接受了BBC的專訪時，華為總裁任正非就曾透露，「現在我們能做800G光芯片，全世界都做不到，美國還很遙遠。」隨後在2020年2月，華為在應該倫敦正式發佈了「業界首款800G可調超高速光模塊」。據介紹，該800G光模塊採用了華為自主研發的光數字信號處理（oDSP，Optical Digital Signal Processor）芯片。oDSP是整個傳輸系統中最為核心的部件，其芯片的能力將直接決定系統傳輸的能力。
光通信技術普遍面臨的一大問題就是實驗室測試和實際使用之間的巨大鴻溝。受限於現實網絡中種類繁多的不完美因素，光通信技術會造成很多系統性差異，讓人感覺「實驗室之內-實驗室之外」完全是兩個世界一般，於是華為創造性地基於oDSP算法發明了兩個核心專利：
首先是CMS技術（Channel Matched Shaping，信道匹配整形），其目的是填補現實網絡與實驗室測試之間的鴻溝，基於真實傳輸鏈路情況，進行系統層次的傳輸性能優化；另一個是光層AI（Artificial Intelligence，人工智能）神經元：採取分佈式架構，在全網範圍對所有光層關鍵參數進行實時監測。
值得注意是的，早在2017年華為就計劃將其投資規模高達數十億英鎊的光芯片研發中心和工廠放在英國。2018年，華為在英國南劍橋郡購買了500英畝土地。2019年初啟動規劃申請流程。2019年6月25日，華為公司正式宣布其位於劍橋園區的第一期規劃已經獲批，主要用於光芯片的研發與製造。一期規劃用地9英畝，建築面積達50000平方米，計劃投資規模10億英鎊，預計將帶來400多個工作崗位，落成後將成為華為海外光電子業務總部。
不過，今年7月，英國政府正式封殺華為5G，宣布將從2020年12月31日起停止購買新的華為設備，此外，英國5G網絡中目前所使用的華為設備也必須在2027年前拆除。而這或將在一定程度上影響華為在英國的光芯片工廠建設的推進。
相比之下，作為華為在國內的首個光芯片工廠，隨着武漢華為光工廠項目（二期）FAB2主廠房的順利封頂，相信很快華為的光芯片很快將可在武漢工廠實現投產。
