功耗降低50% 三星3nm工艺量产传来喜讯：良率改善中
最近一段时间，三星的新工艺负面新闻不断，之前有传闻称良率只有35%，吓跑了NVIDIA及高通等客户，不过三星一直否认，现在又有报道称3nm工艺已经量产，最关键的良率也在改善中。
这个喜讯是三星管理层向董事会报告的，显示了三星对3nm工艺的信心，表示良率已经改善，但是现在依然没有具体的细节泄露出来了。
此前的三星公布了2022年Q1季度财报会议，三星官方也否认了传闻中的良率不行的传闻。
三星表示，5nm工艺已经进入成熟阶段，还在扩大服务，4nm工艺虽然良率提升过程出现了延迟，但已经进入了预定的良率曲线，未来的3nm工艺还在准备设立一条新的研发生产线。
对三星来说，3nm节点是他们押注芯片工艺赶超台积电的关键，因为台积电的3nm工艺不会上下一代的GAA晶体管技术，三星的3nm节点就会启用GAA技术，这是一种新型的环绕栅极晶体管，通过使用纳米片设备制造出了MBCFET（Multi-Bridge-Channel FET，多桥–通道场效应管），该技术可以显著增强晶体管性能，主要取代FinFET晶体管技术。
根据三星的说法，与7nm制造工艺相比，3nm GAA技术的逻辑面积效率提高了45%以上，功耗降低了50%，性能提高了约35%，纸面参数上来说却是要优于台积电3nm FinFET工艺。
